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“Kinetis Kシリーズ”をご検討のお客様へ

発振回路設計時の確認事項

水晶発振回路の設計においては、次の3つの特性について確認が必要です。

(1) 励振レベル（ドライブレベル）
(2) 発振余裕度、負性抵抗値
(3) 負荷容量 / 発振回路定数の目安

各特性の詳細は、こちらをご参照ください。

水晶振動子の選択ガイド

水晶振動子の選択の際には負荷容量（CL）値が大きな要素になります。
下の図のように低いCL（7.0pF）では発振余裕度は良くなり電流値が低下しますが、周波数安定度*は低下します。
逆に高いCL（12.5pF）では発振余裕度は低下しますが、発振回路に十分電流を与えると同時に周波数安定度*は向上します。
これらの特性を考慮して選択してください。
*周波数安定度：回路や回路素子等のバラツキに対する周波数変動

セイコーエプソンの水晶振動子ラインアップ

製品名	サイズ[mm]	主なアプリケーション例	製品イメージ
FC-135	3.2 x 1.5 x 0.9	PMP、DSC、小型携帯機器
FA-238 FA-238V	3.2 x 2.5 x 0.7	携帯電話、Bluetooth、W-LAN その他IMSバンド使用機器

Kinetis Kシリーズの発振回路構成と水晶振動子の選択

1) 32 kHz

Internal programmable capacitors : 0 (RTC control register=0, default)

IC 名称	エプソン製品					外付け部品 *3
IC 名称	製品名	公称周波数 [Hz]	CL *1 [pF]	製品型番 *2	外形寸法 WxDxH [mm]	Cg [pF]	Cd [pF]
MK60DN512ZVLQ10	FC-135	32.768k	12.5	Q13FC13500002**	3.2 x 1.5 x 0.9	18	15

2) 24 MHz

Internal programmable capacitors : 0 (RTC control register=0, default)

IC 名称	エプソン製品					外付け部品 *3
IC 名称	製品名	公称周波数 [Hz]	CL *1 [pF]	製品型番 *2	外形寸法 WxDxH [mm]	Cg [pF]	Cd [pF]	Rd [Ω]
MK10FX512VLQ12	FA-238V	12M	10.0	Q22FA23V00019**	3.2 x 2.5 x 0.7	10	10	1000
MK50DX256ZCLL10	FA-238	16M	10.0	Q22FA23800421**	3.2 x 2.5 x 0.7	10	10	1000
MK60DN512ZVLQ10	FA-238	20M	10.0	Q22FA23800264**	3.2 x 2.5 x 0.7	5	5	-

注意事項

*1. 負荷容量：Load Capacitance
*2. 製品型番の下2桁は梱包仕様です。（00：標準梱包）詳細については、こちらでご確認ください。
*3. 本記載内容は、お客様に適正部品の選択をして頂くための設計参照情報です。ICメーカー様よりご提供頂いたセットのみでの評価結果となっており、ICおよび周辺部品のバラツキ等の影響は考慮されておりません。弊社では本記載内容を保証いたしかねますので、ご了承ください。こちらまた、発振回路の特性は配線パターン等の影響により変化いたしますので、お客様の基板上でご評価頂き、発振回路の定数をご決定頂きますよう、お願い申し上げます。

基板設計時の注意

信号および水晶振動子、コンデンサ、抵抗の配置

・水晶振動子、コンデンサ、抵抗は、なるべくIC の近くに配置してください。
・配線はなるべく短くし、他の信号線と交差させないでください。

For 32kHz Crystal unit

GND配線、基板内配線

・水晶振動子の下部となる基板面はGNDを配置してください。
・多層基板の場合、水晶振動子の下部となる内層に他の信号線を配置しないでください。

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